半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 東條 剛; 浅野 竹春 |
| 发表日期 | 1999-01-29 |
| 专利号 | JP1999026868A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 エッチング停止層による光場の偏りを矯正することができる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 p型(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層8上に、p型Gay In1-y Pエッチング停止層9を介してp型(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層10を設けた埋め込みリッジ型のAlGaInP系の半導体レーザにおいて、n型(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層2,4の間にn型Gau In1-u P光場矯正層3を設ける。n型Gau In1-u P光場矯正層3の屈折率、禁制帯幅および厚さを、それぞれ、p型Gay In1-y Pエッチング停止層9の屈折率、禁制帯幅および厚さと等しくし、n型Gau In1-u P光場矯正層3を、活性層6に対してp型Gay In1-y Pエッチング停止層9と対称となる位置に設ける。 |
| 公开日期 | 1999-01-29 |
| 申请日期 | 1997-07-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88033]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 東條 剛,浅野 竹春. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1999026868A. 1999-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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