半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 中山 毅 |
| 发表日期 | 2004-04-08 |
| 专利号 | JP2004111535A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】大電流時の光出力の低下が少なく、かつスロープ効率が高く、従来の半導体レーザと比較して近視野像が大きく変動しない半導体レーザを構成する。 【解決手段】p-InP基板12上に配設されたp-InPクラッド層14と、このp-InPクラッド層14上に配設された活性領域16と、この活性領域16上に配設されたn-InPクラッド層18aと、このn-InPクラッド層18aの上に配設されたn-InPクラッド層18bと、n-InPクラッド層18aとn-InPクラッド層18bとの間に挟まれて活性領域16から発光するレーザ光の近視野像の光強度が実質的に0になる位置よりも活性領域16側に積層されるとともに0.05~0.3μmの厚さを有し光強度分布の重み中心をn側に移動させるn-InGaAsPクラッド層20と、を備えたものである。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-04-08 |
| 申请日期 | 2002-09-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88036]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中山 毅. 半導体レーザ装置. JP2004111535A. 2004-04-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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