III-V族系窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 津田 有三; 毛利 裕一 |
| 发表日期 | 2005-04-07 |
| 专利号 | JP2005093936A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III-V族系窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化物半導体レーザ素子の長期信頼性を向上させる。 【解決手段】 基板と、前記基板上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられたクラッド層と、前記基板上であってかつ前記発光層またはクラッド層の両側面に接して設けられた埋め込み層とを有し、前記埋め込み層がリン原子またはヒ素原子を20%以下の原子分率で含むIII-V族系窒化物半導体レーザ素子とする。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2005-04-07 |
| 申请日期 | 2003-09-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88039]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 津田 有三,毛利 裕一. III-V族系窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2005093936A. 2005-04-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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