半導体レーザ素子及びその設計方法
文献类型：专利
| 作者 | 林 伸彦; 井手 大輔; 茨木 晃 |
| 发表日期 | 1998-06-09 |
| 专利号 | JP1998154847A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその設計方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 基本横モード発振で高光出力が可能な半導体レーザを提供することを目的とする。 【解決手段】 第1導電型のクラッド層3と、活性層6と、第2導電型のクラッド層8、10と、電流通路を制限すると共に電流通路を形成する所定幅のストライプ状開口部を有し且つ第2導電型のクラッド層8、10よりバンドギャップが大きい電流ブロック層13、14と、を備える。活性層における開口部に対応する領域の実効屈折率と活性層における開口部の両側に対応する領域の実効屈折率の差Δn及び開口部の幅Wが所定の関係を満足するように設定される。実効屈折率の差Δnは、電流ブロック層のAl組成比及び第2導電型のクラッド層の開口部の両側部分での厚さを選択することにより設定される。 |
| 公开日期 | 1998-06-09 |
| 申请日期 | 1997-03-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88040]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林 伸彦,井手 大輔,茨木 晃. 半導体レーザ素子及びその設計方法. JP1998154847A. 1998-06-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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