窒化物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 妹尾 雅之; 中村 修二 |
| 发表日期 | 2000-07-14 |
| 专利号 | JP3087831B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 基板側より接触抵抗の低い電極を取り出すことができて、さらに放熱性に優れた窒化物半導体素子を実現する。 【構成】 第1の主面と第2の主面とを有する基板の第1の主面側にn型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層とが積層され、第1の主面側にあるそれらの窒化物半導体層に、それぞれオーミック接触用のn電極と、p電極とが設けられており、さらに、基板の第2の主面側には、前記n、pいずれか一方の電極と電気的に接続された第1の電極が、基板の側面と連続して形成されて、その第1の電極が基板の第1の主面側の表面に形成された絶縁膜によって、もう一方の電極と絶縁されている。 |
| 公开日期 | 2000-09-11 |
| 申请日期 | 1996-11-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88045]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 妹尾 雅之,中村 修二. 窒化物半導体素子. JP3087831B2. 2000-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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