半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 河本 清時; 三宅 輝明; 中島 健二; 岩本 学; 長尾 泰志; 宮田 譲; 中西 寿美代 |
| 发表日期 | 2008-10-23 |
| 专利号 | JP2008258341A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】複数の異なる波長のレーザ光を出射可能であるとともに、少なくとも、一方の半導体レーザ素子部における偏光特性の低下を抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】この半導体レーザ素子は、n型GaAs基板1上に、第1導波路16cを含む第1半導体レーザ素子部10と、第2導波路26cを含む第2半導体レーザ素子部20とが形成された構造において、第1導波路16cおよび第2導波路26cが、それぞれ、平面的に見て、n型GaAs基板1の短手方向(矢印X方向)の中心40から第1導波路16cおよび第2導波路26cまでの距離aと、第1導波路16cおよび第2導波路26cからそれぞれn型GaAs基板1の一方側端面1aおよびn型GaAs基板1の他方側端面1bまでの距離bとの比(a:b)が0.43:0.57から0.57:043の範囲以内となる位置に形成されている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-10-23 |
| 申请日期 | 2007-04-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88048]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河本 清時,三宅 輝明,中島 健二,等. 半導体レーザ素子. JP2008258341A. 2008-10-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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