半導体光集積装置及びその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 岩井 則広; 向原 智一; 山口 武治; 粕川 秋彦 |
| 发表日期 | 2000-08-22 |
| 专利号 | JP2000232252A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光集積装置及びその作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 共通の半導体基板上にモノリシックに形成したレーザ素子と受光素子とを単一の電源によって駆動できる、半導体光集積装置を提供する。 【解決手段】 本装置39は、共通のInP基板21上にモノリシックに設けられたレーザ素子40と受光素子41とを備え、分離溝42により電気的に分離されている。受光素子は、n-InP基板上に、膜厚100nmのn-AlInAs層22、n-InPクラッド層23、MQW活性層24、p-InPクラッド層25、膜厚50nmのp-AlInAs層26、p-InPクラッド層27、及びp-GaInAsコンタクト層28の積層構造を有する。リッジストライプを構成するp-AlInAs層の両側部は、AlInAs層中のAlが酸化されたAl酸化層29となって電流狭窄構造を構成し、n-AlInAs層22は、全層にわたりAlが酸化されたAl酸化層30になっている。受光素子は、Al酸化層30により半導体基板から電気的に分離され、分離溝によりレーザ素子から電気的に分離されている。 |
| 公开日期 | 2000-08-22 |
| 申请日期 | 1999-02-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88052]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩井 則広,向原 智一,山口 武治,等. 半導体光集積装置及びその作製方法. JP2000232252A. 2000-08-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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