半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大久保 伸洋 |
| 发表日期 | 2005-02-17 |
| 专利号 | JP2005045009A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高出力時の駆動電流を低減する。 【解決手段】 n型GaAs基板41に対するn型AlxInzP電流ブロック層50の格子不整合率を、n型AlxInzP電流ブロック層50内で一様に-0.10%とする。このように、上記格子不整合率を-0.20%以上且つ0%以下にした場合は、p型AlxGayInzP第2クラッド層45に対してマイナスの歪みを間接的に付与することになり、p型AlxGayInzP第2クラッド層45中に存在するp型不純物原子(Be原子)の拡散速度が低下し、Be原子のMQW活性層44への拡散が低減される。したがって、CW50mWでの駆動電流が低くなる。尚、上記格子不整合率が-0.20%よりも下の場合には、n型AlxInzP電流ブロック層50がn型GaAs基板41およびp型AlxGayInzP第2クラッド層45に対して格子緩和して歪みの効果が無くなる。そのため、Be原子の活性層への拡散が増加して上記駆動電流が高くなってしまう。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2005-02-17 |
| 申请日期 | 2003-07-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88053]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保 伸洋. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2005045009A. 2005-02-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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