面発光半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 大坪 孝二 |
| 发表日期 | 1997-01-17 |
| 专利号 | JP1997018083A |
| 著作权人 | GIJUTSU KENKYU KUMIAI SHINJOHO SHIYORI KAIHATSU KIKO |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 面発光半導体レーザに関し、構成要素となる半導体材料の選択の自由度を広げることを目的とする。 【構成】 一導電型基板と、屈折率の異なる2種類の一導電型半導体膜から成りレーザ光を反射させる一導電型反射鏡層と、一導電型半導体膜から成る第1のクラッド層と、レーザ光を発生させる活性層と、反対導電型半導体膜から成る第2のクラッド層で構成される共振器と、屈折率の異なる2種類の反対導電型半導体膜から成りレーザ光を反射させる反対導電型反射鏡層を積層して成る面発光半導体レーザにおいて、一導電型基板、一導電型反射鏡層、共振器及び反対導電型反射鏡層のうち、格子不整合の生じる基板と層の間、あるいは層と層の間に、半導体の組成がグレーデッドに変化するグレーデッド層を形成する。 |
| 公开日期 | 1997-01-17 |
| 申请日期 | 1995-07-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88063]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | GIJUTSU KENKYU KUMIAI SHINJOHO SHIYORI KAIHATSU KIKO |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大坪 孝二. 面発光半導体レーザ. JP1997018083A. 1997-01-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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