半導体光機能素子
文献类型：专利
| 作者 | 石川 卓哉; 粕川 秋彦 |
| 发表日期 | 1998-11-13 |
| 专利号 | JP1998303494A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光機能素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体光増幅器素子にあっては利得の偏波依存性が小さく、可視光又は赤外レーザにあっては活性層からクラッド層への電子のオーバーフローを抑制して温度特性の良好な半導体光機能素子を提供する。 【解決手段】 本半導体光増幅器10は、InP基板上に作成した素子長600μm の半導体光増幅器であって、圧縮歪量子井戸の活性層20と伸張歪量子井戸の活性層24との間にクラッド層の導電型とは異なる導電型のキャリア注入層22を有する層構造を備える。中央電極34と上部電極32との間でキャリア注入層22、活性層24及び上部クラッド層28を経由する電流通路を形成し、また中央電極34と下部電極36との間でキャリア注入層22、活性層20及び下部クラッド層16を経由する電流経路を形成している。 |
| 公开日期 | 1998-11-13 |
| 申请日期 | 1997-04-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88066]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 卓哉,粕川 秋彦. 半導体光機能素子. JP1998303494A. 1998-11-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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