レーザダイオード素子
文献类型：专利
| 作者 | 田中 宏和 |
| 发表日期 | 1993-12-24 |
| 专利号 | JP1993343791A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | レーザダイオード素子 |
| 英文摘要 | 【目的】リッジ状領域の形状を左右非対称にしたり、共振器端面が光軸に対して傾いたりすることなく活性層結晶を無秩序化した、より短い発振波長のレーザダイオードを提供すること。 【構成】(100)結晶表面に方向に平行な均等幅の複数のストライプ溝が穿たれたGaAs結晶の半導体基板上に、基板形状を反映する形状をなすN型クラッド層が形成されていることを特徴とするレーザダイオード素子において、このN型クラッド層と活性層の界面で結晶が無秩序化されており、活性層のバンドギャップが通常の(100)結晶表面上に形成された活性層のバンドギャップよりも大きいことを特徴とするレーザダイオード素子。 |
| 公开日期 | 1993-12-24 |
| 申请日期 | 1992-06-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88067]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 宏和. レーザダイオード素子. JP1993343791A. 1993-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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