半導体光機能素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 吉本 直人; 東盛 裕一; 赤淵 忠之 |
| 发表日期 | 2000-02-18 |
| 专利号 | JP2000049420A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光機能素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半絶縁性基板を用いた場合のスポットサイズ変換のモード非対称性を是正し、ファイバとの結合特性を向上させる。 【解決手段】 半絶縁性基板(基板1)と、第1の導電型を有する第1のクラッド層(多重クラッド層2)と、この多重クラッド層2よりも屈折率が大きい活性層10と、この活性層10よりも屈折率が小さくかつ第2の導電型を有する第2のクラッド層6と、第2の導電型を有するコンタクト層7とが順次積層された半導体光機能素子において、多重クラッド層2は、多層構造をなし、この多層構造は、屈折率の異なる層が隣り合うように積層されて構成されている。さらに、多重クラッド層2の屈折率の平均は、基板1の屈折率と等しいかまたはそれ以上である。 |
| 公开日期 | 2000-02-18 |
| 申请日期 | 1998-07-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88081]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉本 直人,東盛 裕一,赤淵 忠之. 半導体光機能素子およびその製造方法. JP2000049420A. 2000-02-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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