半導体光素子とそれを用いた応用システム
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 正彦; 宮原 裕二; 魚見 和久 |
| 发表日期 | 1997-08-19 |
| 专利号 | JP1997219563A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子とそれを用いた応用システム |
| 英文摘要 | 【課題】7μmから5μmの中赤外光を発光する半導体レーザ及び受光する光検出器を作製し、これらの半導体光素子を用いた応用システムを提供することを目的とする。 【解決手段】上記目的は、Nを含むIII-V族半導体を、半導体レーザの活性層やフォトダイオードの光吸収層に用いることにより達成される。 【効果】GaInNAs、InNPAs等のNを含むIII-V族半導体は、0.73eV以下のバンドギャップを有する事ができ、更に、実質的に格子整合できる基板結晶が存在するので結晶欠陥の無い良質な結晶として結晶成長する事ができるので、中赤外半導体光素子に適した新半導体材料として提供できる。従って、7μmから5μmの中赤外光を発光する半導体レーザ、受光するフォトダイオードを作製でき、これらの高性能な半導体光素子を用いた応用システムを提供することができる。 |
| 公开日期 | 1997-08-19 |
| 申请日期 | 1996-02-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88083]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 正彦,宮原 裕二,魚見 和久. 半導体光素子とそれを用いた応用システム. JP1997219563A. 1997-08-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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