半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 北谷 健; 近藤 正彦; 中原 宏治 |
| 发表日期 | 2000-10-06 |
| 专利号 | JP2000277867A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】GaInNAs半導体レーザにおけるGaInNAs井戸層のN組成の最適値は、歪量と相分離のトレードオフの関係により、N組成の3%以下の領域であると考えられる。しかしながら、本領域では、GaInNAs井戸層の歪量は大きい。これにより、長期的には、転位の発生、相分離の誘起等がおこり、GaInNAs半導体レーザの信頼性を確保することが困難である。 【解決手段】 本願発明は、ガリウム砒素化合物半導体基板の上部に、第1のクラッド層と、発光活性層と、第2のクラッド層とを少なくとも有する光共振器を有し、当該活性層は量子井戸構造を有し、前記量子井戸構造は少なくとも一対の障壁層と井戸層を有し、前記井戸層が窒素(N)の含有量が3%以下のGaInNAsを用い、障壁層は、GaAsに対してマイナス(-)歪みを有するIII-V族化合物半導体材料が用いた半導体レーザ装置である。更に、活性層に用いられる井戸層と障壁層とのエネルギー差が、伝導帯において300meV以上、価電子帯において50meV以上200meV以下となすことが望ましい。 |
| 公开日期 | 2000-10-06 |
| 申请日期 | 1999-03-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88084]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北谷 健,近藤 正彦,中原 宏治. 半導体レーザ装置. JP2000277867A. 2000-10-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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