Semiconductor device
文献类型：专利
| 作者 | TOSHIRO, HAYAKAWA; TAKAHIRO, SUYAMA; MASAFUMI, KONDO; KOHSEI, TAKAHASHI; SABURO, YAMAMOTO |
| 发表日期 | 1991-03-20 |
| 专利号 | GB2202371B |
| 著作权人 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 国家 | 英国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor device |
| 英文摘要 | A semiconductor epitaxial layer is formed by misorienting the planar azimuth of single-crystal substrate by 0.1 to 1 degree from plane (111)B and forming the layer by molecular beam epitaxy. The method is described as applied to the fabrication of a GRIN-SCH semiconductor laser of improved quality. |
| 公开日期 | 1991-03-20 |
| 申请日期 | 1987-03-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88085]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | TOSHIRO, HAYAKAWA,TAKAHIRO, SUYAMA,MASAFUMI, KONDO,et al. Semiconductor device. GB2202371B. 1991-03-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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