半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 今藤 修; 内藤 浩樹; 粂 雅博; 伊藤 国雄 |
| 发表日期 | 2000-03-03 |
| 专利号 | JP3040262B2 |
| 著作权人 | 松下電子工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 光情報処理等の光源として用いる半導体レーザ装置において発振波長を安定させ、動作電流値を下げる。 【構成】 Ga1-XAlXAs活性層4の主面の少なくとも一方の側に一導電型のGa1-Y1AlY1As第1光ガイド層5および回折格子を有するGa1-Y2AlY2As第2光ガイド層6が形成されており、第2光ガイド層6の上にストライプ状の窓7aを有する逆導電型のGa1-ZAlZAs電流ブロック層7が形成されており、ストライプ状の窓7aには一導電型のGa1-Y3AlY3Asクラッド層9が形成されており、かつAlAs混晶比を決めるX、Y1、Y2、Y3およびZの間にZ>Y3>Y2>X≧0、Y1>Y2の関係を有する。 |
| 公开日期 | 2000-05-15 |
| 申请日期 | 1992-09-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88086]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電子工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今藤 修,内藤 浩樹,粂 雅博,等. 半導体レーザ装置. JP3040262B2. 2000-03-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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