半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 汐先 政貴 |
| 发表日期 | 1999-08-06 |
| 专利号 | JP1999214792A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 設計の自由度の向上を図ることができ、これによって、導波機構の制御、低消費電力化および高出力化を図ることができ、自励発振型としたときに非点収差を小さくすることができる半導体レーザを提供する。 【解決手段】 n型GaAs基板1上にn型Alx1Ga1-x1Asクラッド層2、Alx2Ga1-x2As活性層3、p型Alx1Ga1-x1Asクラッド層4を順次積層する。p型Alx1Ga1-x1Asクラッド層4上に互いに対応する部分に一方向に延びるストライプ上の開口5a、開口6aを有するn型Alx1Ga1-x1As電流狭窄層5、n型Alx3Ga1-x3As光導波層6を順次積層し、n型Alx3Ga1-x3As光導波層6により横モードの制御を行う。一例では、n型Alx3Ga1-x3As光導波層6の組成に応じて導波機構を制御する。他の例では、開口5aの幅を開口6aの幅より狭くして自励発振型半導体レーザを実現する。 |
| 公开日期 | 1999-08-06 |
| 申请日期 | 1998-01-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88096]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汐先 政貴. 半導体レーザ. JP1999214792A. 1999-08-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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