光半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阪田 康隆 |
| 发表日期 | 2000-10-20 |
| 专利号 | JP2000294882A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 コンタクト層のアクセプタ濃度を高め、素子抵抗の低減を図る。 【解決手段】 n型InP基板1上に有機金属気相成長法によって形成する光半導体装置の製造方法において、p型クラッド層4上に位置する亜鉛ドープしたp型InGaAsコンタクト層5を590℃以下の成長温度と933hPa以上の成長圧力で成長することにより、良好な結晶性を保ちつつ、1×1019cm-3以上の高いアクセプタ濃度を実現する。 |
| 公开日期 | 2000-10-20 |
| 申请日期 | 1999-04-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88097]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阪田 康隆. 光半導体装置の製造方法. JP2000294882A. 2000-10-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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