窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 奥村 敏之 |
| 发表日期 | 2000-09-14 |
| 专利号 | JP2000252589A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、歩留まりよく、かつ、低い発振閾値電流値が得らる半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 基板上に、窒化物半導体からなるクラッド層及び/又はガイド層に挟まれ、窒化物半導体からなる活性層を形成した半導体レーザにおいて、ストライプ状活性領域のストライプ方向と共振器端面とのなす角度を、90度±0.3度の範囲内とする。 |
| 公开日期 | 2000-09-14 |
| 申请日期 | 1999-03-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88102]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥村 敏之. 窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2000252589A. 2000-09-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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