半導体レーザ装置およびその評価方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮下 宗治; 藤井 就亮; 津上 真理; 三橋 豊 |
| 发表日期 | 1995-08-22 |
| 专利号 | JP1995226564A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその評価方法 |
| 英文摘要 | 【構成】 GaAs基板1上に、n型AlGaAs下クラッド層2、AlGaAsまたはGaAs活性層3、p型AlGaAs上クラッド層4を順次形成したDH構造を有する半導体レーザ装置において、レーザパルス光8を評価部分の活性層3に入射し、該活性層からのバンド端のPL光強度の減衰時定数を求めてこれよりフォトキャリアのライフタイムを求めることにより、該半導体レーザ装置のしきい電流密度Jthを評価する。 【効果】 結晶成長後の簡単なエッチングだけでしきい電流密度の評価ができ、手間と時間をかけることなく、フィードバックを迅速にかけることができる。 |
| 公开日期 | 1995-08-22 |
| 申请日期 | 1994-02-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88104]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮下 宗治,藤井 就亮,津上 真理,等. 半導体レーザ装置およびその評価方法. JP1995226564A. 1995-08-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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