半導体レーザー素子
文献类型：专利
| 作者 | 田 村 雅 之; 島 田 直 弘 |
| 发表日期 | 2000-06-06 |
| 专利号 | JP2000156542A |
| 著作权人 | TOSHIBA ELECTRONIC ENGINEERING CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザー素子の電気容量を削減する。 【解決手段】 コンタクト層24と電流ブロック層20と第2クラッド層16とアンドープ活性層14とを貫通して、第1クラッド層12まで達するプロトン注入部34を形成する。このプロトン注入部34により、この半導体レーザー素子をA部、B部、C部の3つの部分に電気的に分離する。これにより、この半導体レーザー素子の全体の電気容量を削減することができ、高周波特性を改善することができる。 |
| 公开日期 | 2000-06-06 |
| 申请日期 | 1998-11-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88110]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA ELECTRONIC ENGINEERING CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田 村 雅 之,島 田 直 弘. 半導体レーザー素子. JP2000156542A. 2000-06-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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