半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 田中 明; 岡田 眞琴; 松山 隆之 |
| 发表日期 | 2008-10-09 |
| 专利号 | JP2008244454A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】発熱量を低減し、信頼性の改善が可能な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】第1導電型の基板と、前記基板の上に設けられ、活性層と、リッジ形状の導波路を有する第2導電型のクラッド層と、を少なくとも含む窒化物系半導体の積層体と、前記積層体により構成される光共振器の一方の端面に設けられ、反射率が40%以上で60%以下である第1の膜と、前記光共振器の他方の端面に設けられ、前記第1の膜よりも高い反射率を有する第2の膜と、を備え、前記光共振器の長さは400μm以下であり、前記一方の端面が光出射面されたことを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2008-10-09 |
| 申请日期 | 2008-02-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88111]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 明,岡田 眞琴,松山 隆之. 半導体レーザ装置. JP2008244454A. 2008-10-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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