半導体レーザダイオード
文献类型：专利
| 作者 | 西口 晴美; 大倉 裕二 |
| 发表日期 | 1999-05-28 |
| 专利号 | JP1999145547A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザダイオード |
| 英文摘要 | 【課題】 npnトランジスタを用いた高速な駆動ICと組み合わせて用いることができ、かつ従来例と同等以上の性能を有するp型GaAs基板を用いて構成した半導体レーザダイオードを提供する。 【解決手段】 p型GaAsからなる半導体基板と、p型AlGaAs下クラッド層を含み半導体基板上に形成されたp型半導体層領域と、n型AlGaAs上クラッド層を含みp型半導体層領域上に活性層を介して形成されたn型半導体層領域とを備え、n型AlGaAs上クラッド層が、活性層に光を閉じ込めるために活性層のほぼ全面にわたって形成された第1の領域と活性層の所定の幅のレーザ発振領域に電流を集中して注入するためのリッジ部とからなる半導体レーザダイオードであって、n型AlGaAs上クラッド層が、x≧0.4に設定されたAlxGa1-xAsからなり、かつ6×1017cm-3以下のキャリア濃度を有する。 |
| 公开日期 | 1999-05-28 |
| 申请日期 | 1997-11-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88112]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西口 晴美,大倉 裕二. 半導体レーザダイオード. JP1999145547A. 1999-05-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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