半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 桑原 正和; 石田 明広; 菅 博文; 藤安 洋 |
| 发表日期 | 1997-09-19 |
| 专利号 | JP1997246649A |
| 著作权人 | 浜松ホトニクス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 製造工程数が少なく製造容易な半導体素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 p型PbTeからなる基板10の上に、p型PbTeからなるバッファ層20、p型PbTeからなるクラッド層30、PbTeからなる障壁層40、PbSnTeからなる井戸層50、PbTeからなる障壁層60、および、n型PbTeからなるクラッド層70を、それぞれこの順にエピタキシャル成長することによって形成される。井戸層50の禁制帯は障壁層40および60の禁制帯よりも高くなり、両者は重なることはない。井戸層50に、電子が注入される上位サブバンドと、正孔が注入される下位サブバンドとが生成される。 |
| 公开日期 | 1997-09-19 |
| 申请日期 | 1996-03-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88115]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浜松ホトニクス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 桑原 正和,石田 明広,菅 博文,等. 半導体素子. JP1997246649A. 1997-09-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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