分布帰還型半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 陳 農; 渡部 義昭; 武井 清; 竹間 清文 |
| 发表日期 | 1998-06-26 |
| 专利号 | JP1998173285A |
| 著作权人 | PIONEER ELECTRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 少ない工程数で製造できる分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法及びそれにより製造される分布帰還型半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法であって、基板上に少なくとも活性層、上下クラッド層、及びコンタクト層を積層したレーザ基板を1回結晶成長で形成する工程と、レーザ基板をエッチングし、ストライプ方向にリッジストライプ幅が周期的に変化したリッジストライプを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1998-06-26 |
| 申请日期 | 1996-12-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88121]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PIONEER ELECTRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陳 農,渡部 義昭,武井 清,等. 分布帰還型半導体レーザ素子及びその製造方法. JP1998173285A. 1998-06-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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