半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 下山 謙司; 細井 信行 |
| 发表日期 | 2000-10-06 |
| 专利号 | JP2000277865A |
| 著作权人 | MITSUBISHI CHEMICALS CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 従来のAlGaInP系バルク活性層の可視レーザと比較して、最高発振温度を上げ、高温あるいは高出力においても高い信頼性を示す優れたレーザ特性を有する半導体発光装置を提供すること。 【解決手段】 基板上に、第1導電型のAlGaInP又はAlInPからなるクラッド層、該クラッド層の上に形成された1層以上の量子井戸層を有するGaInP又はAlGaInPからなる活性層、該活性層の上に形成された第2導電型のAlGaInP又はAlInPからなる第1クラッド層、該第1クラッド層の上に形成され且つ電流狭窄部の少なくとも一部を構成する第2導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第2クラッド層、該第2クラッド層の両側面を挟み且つ該第2クラッド層よりも屈折率が低い低屈折率電流阻止層、から少なくとも構成される半導体発光装置。 |
| 公开日期 | 2000-10-06 |
| 申请日期 | 1999-03-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88123]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI CHEMICALS CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 下山 謙司,細井 信行. 半導体発光装置. JP2000277865A. 2000-10-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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