歪量子井戸半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 粕川 秋彦; 菊田 俊夫 |
| 发表日期 | 1994-07-22 |
| 专利号 | JP1994204600A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 歪量子井戸半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【構成】 InP基板上(1)に光を発生する量子井戸層と障壁層とからなる活性層(4′)と、これを上下から挟んで光を閉じ込める光閉じ込め層(3)(5)とを少なくとも有する歪量子井戸半導体レーザにおいて、活性層を構成する量子井戸層(4a)としてInAsy P1-y (01-x Gax P(0 |
| 公开日期 | 1994-07-22 |
| 申请日期 | 1992-12-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88134]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 粕川 秋彦,菊田 俊夫. 歪量子井戸半導体レーザ. JP1994204600A. 1994-07-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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