半導体発光素子およびその製造方法ならびに光電子集積回路およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山口 恭司; 土居 正人; 玉田 仁志 |
| 发表日期 | 2000-01-21 |
| 专利号 | JP2000022275A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法ならびに光電子集積回路およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 共振器端面に発生する凹凸およびエッチング底面に発生する凹凸を低減することができ、動作特性の向上および長寿命化を図ることができ、基板利用効率の向上を図ることができる半導体発光素子およびその製造方法、ならびに、そのような半導体発光素子を有する光電子集積回路およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 n型GaAs基板1上にレーザ共振器2を構成する半導体層を成長し、半導体層に導波路ストライプ3を形成した後、導波路ストライプ3に対応する部分における半導体層の表面に交差しない位置で半導体層をエッチングすることにより、エッチング端面からなる共振器端面4,5を形成する。n型GaAs基板1のエッチング端面1aには立ち上げミラーを形成してもよく、フォトダイオードを形成してもよい。 |
| 公开日期 | 2000-01-21 |
| 申请日期 | 1998-06-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88154]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口 恭司,土居 正人,玉田 仁志. 半導体発光素子およびその製造方法ならびに光電子集積回路およびその製造方法. JP2000022275A. 2000-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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