GAN single crystalline substrate and method of producing thesame
文献类型：专利
| 作者 | MATSUMOTO, NAOKI; MOTOKI, KENSAKU; OKAHISA, TAKUJI |
| 发表日期 | 1999-05-14 |
| 专利号 | CA2311132A1 |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. |
| 国家 | 加拿大 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GAN single crystalline substrate and method of producing thesame |
| 英文摘要 | A method of producing a GaN single crystalline substrate, characterized by comprising forming a mask layer (8) having a plurality of opening windows (10) mutually spaced on a GaAs substrate (2), and growing an epitaxial layer (12) of GaN on the mask layer (8). |
| 公开日期 | 1999-05-14 |
| 申请日期 | 1998-10-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88167]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | MATSUMOTO, NAOKI,MOTOKI, KENSAKU,OKAHISA, TAKUJI. GAN single crystalline substrate and method of producing thesame. CA2311132A1. 1999-05-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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