半導体量子井戸光素子
文献类型：专利
| 作者 | 菅原 充 |
| 发表日期 | 1996-05-07 |
| 专利号 | JP1996116128A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体量子井戸光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ等の半導体量子井戸光素子に関し、窒素化合物半導体を用いた光学遷移の確率が高い半導体量子井戸光素子を提供する。 【構成】 In0.3 Ga0.7 N量子井戸層と、このIn0.3 Ga0.7 N量子井戸層を挟みIn0.3 Ga0.7 Nよりも禁制帯幅が大きいIn0.1 Al0.9 N障壁層からなる半導体量子井戸構造を活性層として具える構造を用いる。この量子井戸構造をIn0.3 Ga0.7 N量子井戸層また、In0.1 Al0.9 N障壁層よりも禁制帯幅が大きいAlNクラッド層によって挟むことができる。量子井戸層をInNによって構成することができ、また、障壁層を量子井戸層よりも禁制帯幅が大きい組成を有するAlGaN,InAlN,AlGaInN,AlN等によって構成することができる。 |
| 公开日期 | 1996-05-07 |
| 申请日期 | 1994-10-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88169]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅原 充. 半導体量子井戸光素子. JP1996116128A. 1996-05-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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