半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 築地 直樹; 相田 宏之 |
| 发表日期 | 1994-04-28 |
| 专利号 | JP1994120615A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 製造歩留りが向上し、高効率高出力で温度特性の優れた半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【構成】 p型化合物半導体基板1上に、少なくともp型化合物半導体クラッド層2、活性層3およびn型化合物半導体クラッド層4が順次積層されたメサストライプ形状部を形成し、次いで、前記メサストライプ形状部側面をp型化合物半導体埋め込み層6およびn型化合物半導体電流阻止層7で埋め込み、次いで、前記n型化合物半導体電流阻止層7のメサストライプ形状部側面との接触部分を除去して、p型化合物半導体埋め込み層6の一部をメサストライプ形状部近傍に露出させ、次いで、p型化合物半導体電流阻止層8で埋め込む工程を有する。 |
| 公开日期 | 1994-04-28 |
| 申请日期 | 1993-07-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88172]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 築地 直樹,相田 宏之. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1994120615A. 1994-04-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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