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化合物半導体発光素子

文献类型:专利

作者堀江 秀善; 太田 弘貴; 藤森 俊成
发表日期2005-07-15
专利号JP3699841B2
著作权人三菱化学株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名化合物半導体発光素子
英文摘要【課題】 端面での外因的な界面準位密度を長期間にわたって安定に抑制することができ、高出力と長寿命を両立させた高性能な化合物半導体発光素子を提供すること。 【解決手段】 第一導電型クラッド層、活性層および第二導電型クラッド層を含む化合物半導体層を基板上に有し、対向する二つの化合物半導体層の端面が共振器構造を形成している化合物半導体発光素子であって、該化合物半導体層の端面を形成する第一導電型クラッド層、活性層および第二導電型クラッド層の表面が3族の元素を含む不活性化層で被覆されていることを特徴とする化合物半導体発光素子。
公开日期2005-09-28
申请日期1998-12-04
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88193]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱化学株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
堀江 秀善,太田 弘貴,藤森 俊成. 化合物半導体発光素子. JP3699841B2. 2005-07-15.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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