半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 吉田谷 弘明 |
| 发表日期 | 2001-11-02 |
| 专利号 | JP3247529B2 |
| 著作权人 | アンリツ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、単一の素子で、ほぼ同一の領域から外部に出射されるレーザ光の偏光を制御可能にした半導体発光素子に関する。 【構成】単一の半導体基板1と、クラッド層2と、量子井戸層3と、量子井戸層に電流を注入する電流注入手段4とを有する半導体発光素子において、量子井戸層がTEモードを発光する第1の量子井戸層5と、TMモードを発光する第2の量子井戸層6とを含み、電流注入手段が注入した電流によってそれぞれ制御されたTEモードの光とTMモードの光とがほぼ同一の領域から外部に出射されるようになっている。 |
| 公开日期 | 2002-01-15 |
| 申请日期 | 1993-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88194]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アンリツ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田谷 弘明. 半導体発光素子. JP3247529B2. 2001-11-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。