半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 廣野 卓夫; 大橋 弘美; 関 俊司 |
| 发表日期 | 1996-02-27 |
| 专利号 | JP1996056043A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 変調ドーピングにより閾値が低減された状況でも効率が低下しない活性構造を有する半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】 半導体レーザ装置は結晶成長基板8上に下部クラッド層7、下部ガイド層6、活性層5、上部ガイド層4、上部クラッド層3、キャップ層2を順次結晶成長させ上部電極1、下部電極9をキャップ層2および結晶成長基板8の裏面上にそれぞれ設けてなる。障壁層はZn等で1×1018cm-3以上にp型ドープし、結晶成長の基板に対し絶対値が0.1%以上の格子不整合度を有するように設定する。 |
| 公开日期 | 1996-02-27 |
| 申请日期 | 1994-08-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88198]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廣野 卓夫,大橋 弘美,関 俊司. 半導体レーザ装置. JP1996056043A. 1996-02-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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