半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 窪田 晋一 |
| 发表日期 | 1996-09-13 |
| 专利号 | JP1996236853A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 簡単な構造で,レーザの基本特性を劣化させることなく光ファイバとの結合を容易にする。 【構成】 1)基板上に順に形成された一導電型のクラッド, 活性層, 反対導電型クラッド層を有し, レーザ領域とこれに接続してスポットサイズ変換領域がモノリシックに形成され,該レーザ領域は該反対導電型クラッド層を加工して形成された等幅ストライプのリッジ構造であり,スポットサイズ変換領域は, その端面が光の出射端となり,該一導電型のクラッド層までを加工して形成されたストライプの幅が該レーザ領域のストライプ幅から該出射端に向かって漸減するリッジ構造である半導体レーザ,2)前記スポットサイズ変換領域のストライプが出射端よりその一部がエッチング除去され, 除去された部分が埋込層で埋め込まれてウインドウ構造が形成された構造。 |
| 公开日期 | 1996-09-13 |
| 申请日期 | 1995-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88200]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 窪田 晋一. 半導体レーザ. JP1996236853A. 1996-09-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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