III族窒化物半導体およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 新村 康 |
| 发表日期 | 1999-11-30 |
| 专利号 | JP1999330546A |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族窒化物半導体およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】エピタキシャル成長したIII族窒化物半導体層上のオーミック電極の接触抵抗を低減する。 【解決手段】オーミック電極として、窒素ラジカルを用いたMBEによりIII族窒化物半導体の表面に、TiN、ZrN等のIVa族金属の窒化物を形成する。 |
| 公开日期 | 1999-11-30 |
| 申请日期 | 1998-05-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88202]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 新村 康. III族窒化物半導体およびその製造方法. JP1999330546A. 1999-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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