埋め込みリッジ型半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小林 隆二; 多田 健太郎 |
| 发表日期 | 1998-07-21 |
| 专利号 | JP1998190144A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 埋め込みリッジ型半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 Alを含んだ半導体薄膜を埋め込み層とする埋め込みリッジ型半導体レーザを歩留まりよく提供する。 【解決手段】 第2導電型クラッド層104および第2導電型中間層105の半導体材料または組成を変えることによって生じるエッチング速度の差を利用して、リッジ110を形成する際に、リッジに中間層105のひさしを形成する。酸化膜をマスクとしてAl系埋め込み層106成長時にひさしのシャドウ効果により埋め込み層106に薄い成長しない領域を作ることにより、酸化膜マスクをHFやBHFで除去する工程で、Alを含む埋め込み層106がエッチングされるのを防ぐことができる。その結果埋め込み層抜けによるレーザ特性の悪化、歩留まりの低下を防ぐ。 |
| 公开日期 | 1998-07-21 |
| 申请日期 | 1996-12-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88204]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 隆二,多田 健太郎. 埋め込みリッジ型半導体レーザ及びその製造方法. JP1998190144A. 1998-07-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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