半導体レ—ザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 多田 健太郎; 堀田 等; 宮坂 文人 |
| 发表日期 | 1999-10-08 |
| 专利号 | JP1999274657A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 結晶成長によって作る層構造を工夫することによって、ウェットエッチンクで形成されるメサ形状を改善し、キンクレベルが高く、効率が高い半導体レーザを提供する。 【解決手段】 基板201上に第1及び第2アウタークラッド層206,207,ヘテロバッファ層208,キャップ層209を多層に積層する。第1アウタークラッド層206と第2アウタークラッド層207とはエッチングレートが異なる材料から構成されている。このためウェットエッチンクでメサ形成を行うと、メサトップ幅とメサボトム幅との差が小さいメサ形状となる。 |
| 公开日期 | 1999-10-08 |
| 申请日期 | 1996-02-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88207]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 多田 健太郎,堀田 等,宮坂 文人. 半導体レ—ザ及びその製造方法. JP1999274657A. 1999-10-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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