半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 和田 一彦 |
| 发表日期 | 2008-04-17 |
| 专利号 | JP2008091769A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】リッジストライプ上に形成された不要な電流阻止層を容易且つ確実にエッチング除去できて、半導体レーザ素子の設計上の自由度がある半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【解決手段】リッジストライプ形状のp型GaAs上キャップ層111、p型AlyGa1-yAsキャップエッチングストップ層110、p型GaAs下キャップ層109及びp型AlxGa1-xAs第2クラッド層108でリッジストライプ150を構成する。リッジストライプ150上の不要なn型GaAs電流阻止層1160とp型GaAs上キャップ層111とをアンモニア過酸化水素系エッチャントで選択的にエッチング除去して、p型AlyGa1-yAsキャップエッチングストップ層110をフッ化水素酸で選択的にエッチング除去する。 【選択図】図1C |
| 公开日期 | 2008-04-17 |
| 申请日期 | 2006-10-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88208]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 和田 一彦. 半導体レーザ素子の製造方法. JP2008091769A. 2008-04-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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