導波路型第2高調波発生素子およびその製造方法
文献类型:专利
作者 | 楓 弘志; 伊藤 顕知; 川本 和民; 立野 公男; 黒沢 久夫; 伊藤 康平; 二反田 文雄 |
发表日期 | 1994-06-07 |
专利号 | JP1994160927A |
著作权人 | 株式会社日立製作所 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 導波路型第2高調波発生素子およびその製造方法 |
英文摘要 | 【目的】 第2高調波変換効率を高めた導波路型の第2高調波発生素子とその製造方法を提供する。 【構成】 光導波路内に矩形の自発分極反転部を周期的に形成して第2高調波の変換効率を高める。このために、上記素子を2層以上の強誘電体から構成し、分極反転部を設けた第2の強誘電体層上に、第1の強誘電体層をLPE法により成長させ、上記第2の強誘電体層の分極反転部を第1の強誘電体層内に転写する。この後、プロトン交換法により第1の強誘電体層の表面上に光導波層を形成する。 【効果】本発明の導波路型第2高調波発生素子は、分極反転格子の断面形状を矩形化しているので、第2高調波の発生効率が極めて高く、光ディスク装置、レーザプリンタ、その他の光応用装置の光源を短波長化するのに有効な素子が得られる。そして、例えば光磁気ディスク、相変化光ディスクなどへの情報の書き込み(記録)、読み出し(再生)用の光源として好適に用いられる。 |
公开日期 | 1994-06-07 |
申请日期 | 1992-11-27 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88218] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 株式会社日立製作所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 楓 弘志,伊藤 顕知,川本 和民,等. 導波路型第2高調波発生素子およびその製造方法. JP1994160927A. 1994-06-07. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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