半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 種谷 元隆; 神川 剛; 毛利 裕一; 近藤 雅文; 山田 英司 |
| 发表日期 | 2000-07-14 |
| 专利号 | JP2000196143A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 量子井戸活性層を有する窒化ガリウム系半導体発光素子(LED)の発光強度の向上と単色性の改善を実現し、さらに半導体レーザの閾値電流の低減と高信頼性の確保を図る。 【解決手段】 InaGa1-aN量子井戸活性層に接してn側にInxGa1-xN(0.03≦x≦a-0.1)のn側緩衝層を、p側にInyGa1-yN(0.03≦y≦a-0.15)のp側緩衝層を、いずれも厚さ3nm以上25nm以下の範囲で形成する。 |
| 公开日期 | 2000-07-14 |
| 申请日期 | 1998-12-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88221]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 種谷 元隆,神川 剛,毛利 裕一,等. 半導体発光素子. JP2000196143A. 2000-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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