光変調器とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 厚井 大明; 北村 昌太郎 |
| 发表日期 | 1995-08-29 |
| 专利号 | JP1995230067A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光変調器とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 エッジブレークダウンの発生することが防止され、消光特性、耐圧が向上された光変調器を実現すること。 【構成】 第1導電型の化合物半導体基板上に成長阻止膜として形成された酸化膜と、前記酸化膜の開口部に順次形成された第1導電型のクラッド層、光吸収層、第2導電型のクラッド層を含むダブルヘテロ構造と、全体を覆う埋め込み構造とを有する光変調器において、前記第1導電型クラッド層のキャリア濃度が、前記半導体基板から前記光吸収層にかけて連続的に変化し、または、埋め込み構造部のキャリア濃度が低濃度から高濃度へ変化する。 |
| 公开日期 | 1995-08-29 |
| 申请日期 | 1994-09-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88231]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 厚井 大明,北村 昌太郎. 光変調器とその製造方法. JP1995230067A. 1995-08-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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