自励発振型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 大矢 昌輝 |
| 发表日期 | 2000-11-24 |
| 专利号 | JP2000323780A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 自励発振型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 高温まで自励発振動作を維持できる自励発振型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 活性層104と可飽和吸収層108との間にキャリア吸収層106を設ける。一般に高温になるほど活性層104からクラッド層へのキャリアオーバーフローが増大するが、本発明において、オーバーフローしたキャリアは、キャリア吸収層106で再結合して消滅し、、可飽和吸収層108に過剰のキャリアが注入されることがなく、高温においても自励発振動作が停止せず、安定した自励発振動作が実現される。 |
| 公开日期 | 2000-11-24 |
| 申请日期 | 1999-05-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88236]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大矢 昌輝. 自励発振型半導体レーザ. JP2000323780A. 2000-11-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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