ドープIII-V族窒化物材料、ならびにそれを含む超小型電子デバイスおよびデバイス前駆体構造
文献类型：专利
| 作者 | フリン,ジェフリー,エス.; ブランデス,ジョージ,アール. |
| 发表日期 | 2005-09-02 |
| 专利号 | JP2005526384A |
| 著作权人 | クリー インコーポレイテッド |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | ドープIII-V族窒化物材料、ならびにそれを含む超小型電子デバイスおよびデバイス前駆体構造 |
| 英文摘要 | デルタドープ層(24)および/またはドープ超格子を含むIII-V族窒化物超小型電子デバイス構造を開示する。デルタドーピング方法を開示し、該方法は、第1のエピタキシャル膜成長プロセスにより基板上に半導体材料を堆積するステップと、上記基板上の半導体材料の堆積を終了してエピタキシャル膜表面を与えるステップと、上記エピタキシャル膜表面で上記半導体材料をデルタドーピングして、その上にデルタドーピング層を形成するステップと、上記デルタドーピングを終了するステップと、第2のエピタキシャル膜成長プロセスで半導体材料の堆積を再開して上記デルタドーピング層上に半導体材料を堆積するステップと、上記半導体材料第2のエピタキシャル膜成長プロセスを所定の程度続行して、ドープ超小型電子デバイス構造を形成するステップとを含み、上記デルタドーピング層(24)が上記第1および第2のエピタキシャル膜成長プロセスで堆積された半導体材料内に内在化される。 |
| 公开日期 | 2005-09-02 |
| 申请日期 | 2003-03-19 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88237]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | クリー インコーポレイテッド |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | フリン,ジェフリー,エス.,ブランデス,ジョージ,アール.. ドープIII-V族窒化物材料、ならびにそれを含む超小型電子デバイスおよびデバイス前駆体構造. JP2005526384A. 2005-09-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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