半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 清水 均; 入川 理徳 |
| 发表日期 | 1995-03-17 |
| 专利号 | JP1995074431A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 低閾値電流、高発光効率、高出力化、光出力の安定性、高速変調性、高利得、酸化による影響の防止、高品質、製作易度など、これらの優れた特徴を有する半導体光素子を提供する。 【構成】 活性層15の上下にある光閉じ込め層13、17、クラッド層12、18によりSCH構造が構成されており、両光閉じ込め層13、17の一部に多重量子障壁構造(MQB)14、16が含まれている。活性層15が多重量子井戸型からなる場合は、その活性層15の障壁層15aにも多重量子障壁構造(MQB)が含まれている。 【効果】 光閉じ込め係数を大きくしたまま活性層15(井戸層15b)に対する障壁層15aおよび光閉じ込め層13、17の障壁高さを大きくすることができる。かかる素子機能に基づき、活性層15(井戸層15b)から光閉じ込め層13、17へのキャリアオーバフロー、さらには、クラッド層へのキャリアオーバフローを抑制して、レーザ発振時の低閾値電流化、光出力増大、高速応答性を期すことができる。 |
| 公开日期 | 1995-03-17 |
| 申请日期 | 1994-06-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88246]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 清水 均,入川 理徳. 半導体光素子. JP1995074431A. 1995-03-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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