分布帰還型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 廣野 卓夫; 玉村 敏昭; 山本 智子; 中野 純一 |
| 发表日期 | 2001-01-26 |
| 专利号 | JP3151755B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 回折格子の設計が容易で、低閾値であり、高出力動作時でも単一モードで発振し、かつ、歩留まり良く生産できる分布帰還型半導体レーザを得る。 【構成】 活性層8とそれに隣接するガイド層7から形成される光導波路に回折格子を有し、両端面に無反射コート12を施してなる分布帰還型半導体レーザにおいて、前記両端面に近い2つの両側領域の回折格子4,6の周期をλg,s、中央領域での回折格子5の周期をλg,c、中央領域の長さをLcとしたときに、λg,c={(2i+1)/2m}λg,s (iとmは自然数) Lc/λg,c=m×k (kは正の奇数) |(2i+1)/2m-1|>0.05なる条件を満足し、かつ、中央領域の長さLcが光導波路長の10%以上で20%以下である。 |
| 公开日期 | 2001-04-03 |
| 申请日期 | 1993-04-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88255]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廣野 卓夫,玉村 敏昭,山本 智子,等. 分布帰還型半導体レーザ. JP3151755B2. 2001-01-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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