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導波形多重量子井戸光制御素子

文献类型:专利

作者脇田 紘一; 山中 孝之; 近藤 進
发表日期1996-09-27
专利号JP1996248363A
著作权人NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名導波形多重量子井戸光制御素子
英文摘要【目的】素子容量やスポット径を独立に最適化し、低電圧動作、広帯域幅、低挿入損失で高性能な小型の光制御素子を得る。 【構成】MQW半導体装置のMQW3両側を別の半導体層2,4で挾んで形成した導波構造を、不純物添加した異なる導電形の半導体層6,7で垂直面内で挾み、厚さ11〜14nmの井戸層に0.3〜0.5%の引っ張り応力を導入する。
公开日期1996-09-27
申请日期1995-03-08
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88256]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
脇田 紘一,山中 孝之,近藤 進. 導波形多重量子井戸光制御素子. JP1996248363A. 1996-09-27.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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