導波形多重量子井戸光制御素子
文献类型:专利
作者 | 脇田 紘一; 山中 孝之; 近藤 進 |
发表日期 | 1996-09-27 |
专利号 | JP1996248363A |
著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 導波形多重量子井戸光制御素子 |
英文摘要 | 【目的】素子容量やスポット径を独立に最適化し、低電圧動作、広帯域幅、低挿入損失で高性能な小型の光制御素子を得る。 【構成】MQW半導体装置のMQW3両側を別の半導体層2,4で挾んで形成した導波構造を、不純物添加した異なる導電形の半導体層6,7で垂直面内で挾み、厚さ11〜14nmの井戸層に0.3〜0.5%の引っ張り応力を導入する。 |
公开日期 | 1996-09-27 |
申请日期 | 1995-03-08 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88256] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 脇田 紘一,山中 孝之,近藤 進. 導波形多重量子井戸光制御素子. JP1996248363A. 1996-09-27. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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