化合物半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤井 卓也; 岡崎 二郎; 渡辺 孝幸 |
| 发表日期 | 2000-03-31 |
| 专利号 | JP2000091303A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 化合物半導体装置の製造方法に関し、InP基板上のInP系化合物半導体積層体をドライ·エッチングしてメサを形成し、そのメサをInPを含む化合物半導体層で埋め込む際、成長前処理で用いるエッチャントを適切に選択してメサ側面形状を損なわずにドライ·エッチング·ダメージ層を除去する。 【解決手段】 面指数(001)のn-InP基板1上にn-InPクラッド層2とp-InPクラッド層4とで挟まれたInGaAsP系MQW活性層3を含んだ積層構造を形成し、ドライ·エッチング法を適用して前記積層構造をメサ形状にエッチングし、塩酸と酢酸と過酸化水素を含む酸溶液を用いてメサ側面を含む基板1の表面をエッチングし、メサを埋め込むp-InPブロック層7とn-InPブロック層8を形成する。 |
| 公开日期 | 2000-03-31 |
| 申请日期 | 1998-09-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88259]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤井 卓也,岡崎 二郎,渡辺 孝幸. 化合物半導体装置の製造方法. JP2000091303A. 2000-03-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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