半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 内藤 浩樹; 粂 雅博; 太田 一成; 清水 裕一 |
| 发表日期 | 1993-06-25 |
| 专利号 | JP1993160503A |
| 著作权人 | 松下電子工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 光ディスク等の光源として用いる半導体レーザ装置の低雑音化および低動作電流化を実現する。 【構成】 Ga1-XAlXAs層からなる活性層4の上面および下面の少なくとも一方の側にリッジ5aを有するGa1-YAlYAsからなる一導電型の第2のクラッド層5を備えるとともに、リッジ5aの長手方向の側面に沿ってGa1-ZAlZAsからなる逆導電型の電流ブロック層6を備え、かつAlAs混晶比を決めるX、YおよびZがZ>Y>X≧0である。 |
| 公开日期 | 1993-06-25 |
| 申请日期 | 1991-12-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88261]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電子工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内藤 浩樹,粂 雅博,太田 一成,等. 半導体レーザ装置. JP1993160503A. 1993-06-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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