半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 倉掛 博英; 内田 徹 |
| 发表日期 | 1993-12-27 |
| 专利号 | JP1993347454A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 歪超格子活性層を有するダブルヘテロ構造半導体レーザに関し、(InAs)m (GaAs)n 歪格子構造が無秩序化する危険の少ない半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】 GaAs基板と、基板上に積層され、GaAsと格子整合した第1導電型の第1クラッド層と、第1のクラッド層上に積層したアンドープ(InAs)m (GaAs)n 短周期超格子を含む歪超格子活性層と、歪超格子活性層上に積層し、GaAsと格子整合した第2導電型のIn1-x Gax PまたはIn1-xGax Asy P1-y の第2のクラッド層と、第2のクラッド層上に積層した第2導電型のGaAsのコンタクト層とを含む。 |
| 公开日期 | 1993-12-27 |
| 申请日期 | 1992-06-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88270]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倉掛 博英,内田 徹. 半導体レーザ. JP1993347454A. 1993-12-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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